- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliques; revêtement de matériaux avec des matériaux métalliques; traitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitution; revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/48 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement par irradiation, p.ex. par photolyse, radiolyse ou rayonnement corpusculaire
Détention brevets de la classe C23C 16/48
Brevets de cette classe: 513
Historique des publications depuis 10 ans
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2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Applied Materials, Inc. | 16587 |
73 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
20 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
16 |
Quantum Elements Development, Inc. | 18 |
13 |
Free Form Fibers, LLC | 38 |
11 |
Versum Materials US, LLC | 591 |
10 |
ASML Netherlands B.V. | 6816 |
9 |
FEI Company | 851 |
9 |
Kokusai Electric Corporation | 1791 |
9 |
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
8 |
Utica Leaseco, LLC Assignee | 112 |
8 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
7 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
7 |
Dynetics, Inc. | 14 |
6 |
International Business Machines Corporation | 60644 |
5 |
The Aerospace Corporation | 439 |
5 |
Aixtron SE | 288 |
5 |
National University of Singapore | 2228 |
5 |
Screen Holdings Co., Ltd. | 2431 |
5 |
Hitachi High-Tech Science Corporation | 326 |
4 |
Autres propriétaires | 278 |